集成電路（IC）通常是電子設備和系統的無意電磁輻射的終來源，然而，IC太小而不能自行輻射。為了輻射足夠強的場以引起干擾問題，必須將能量從IC封裝耦合到用作天線的較大結構，例如電路板平面，散熱器或電纜。
能量只能通過三種方式從IC耦合到周圍結構：
1.在兩個或多個引腳上進行;
2.電場耦合;
3.磁場耦合。
傳導耦合
下圖顯示了IC封裝表面正上方的磁場近場掃描。磁場在引線框架上方強，電流強。如圖所示，強電流通過VCC和GND引腳流入和流出IC。這是同時切換噪聲的示例。通過這些引腳從芯片傳導出的高頻電流可以通過激勵使用該IC的印刷電路板上的電源層或其他較大結構來引起顯著的輻射發射。注意，雖然下圖中的結果涉及近磁場的測量，但結果傳達了關于所進行的信息耦合。基于近磁場掃描的結果，不可能量化磁場耦合。
RDR存儲器模塊的近磁場掃描
已經提出了幾種測試程序來測量集成電路的傳導噪聲耦合。但是這些測量中的每一個都加載了被測器件的輸出，其阻抗可能或可能不代表器件在實際應用中將看到的負載阻抗。使用單個電壓或電流測量無法完全表征未知源。如果我們想知道在不同情況下會產生多少傳導噪聲，則需要更多信息。
理論上，電路源可以通過兩次測量完全表征; 開路電壓測量和短路電流測量，實際上，在高頻下，開路負載可能具有顯著的電容，而短路負載可能具有顯著的電感，然而，當已知并控制這些寄生電容和電感時，仍然可以使用一個高阻抗和一個低阻抗測量來表征源（至少在實際應用中重要的源參數）。
然后可以使用這些測量結果構建戴維寧等效源模型，如下圖所示。由于源電壓取決于包括軟件在內的各種因素，應在各種情況下測量設備，并將更糟糕的參數輸入模型。此外，由于這是單端口測量，因此應評估所有可能的端口（引腳對）。
戴維寧等效來源
當負載阻抗非常高或非常低時，可能難以直接測量電壓和電流，因此，可能需要將高阻抗設置為幾百歐姆，將低阻抗設置為幾歐姆。這足以表征感興趣的頻率范圍內的大多數IC源。
圖中的戴維寧等效模型比ICEM和LECCS模型簡單得多，ICEM和LECCS模型具有類似的功能。但是，該模型足以用于許多類型的壞情況排放建模，并且模型的復雜性與用于推導它的測量數量一致。
電場耦合
下圖說明了IC的電場耦合示例。在這種情況下，“天線”是一個大的散熱器被驅動抵靠電路板接地平面。這是一種重要的耦合機制，IC /封裝結構通過電場耦合耦合的噪聲很大程度上取決于IC和封裝的設計。不幸的是，現有的IC的場耦合測量[2,5]不能區分電場和磁場耦合。因此，測量結果不能用于表示EM耦合模型中的IC。
近的研究有助于量化IC如何耦合到作為天線的印刷電路板上的結構，從而導致輻射發射問題，從IC發出的大多數電通量線被電路板或附近的金屬物體捕獲，并且對1 GHz以下的輻射發射沒有顯著貢獻。另一方面，逃離IC /封裝結構的直接環境的電場線在電纜和底盤部件上引起共模電流。這些共模電流通常是不需要的輻射發射的原因。
近，研究表明，混合TEM電池測量能夠量化IC /封裝配置的電場耦合電位，TEM單元測量可用于創建表示IC耦合到外部對象的能力的模型。這些模型可以取代全波系統模型中復雜的IC /封裝結構。因此，通過單次，可重復的測量，可以捕獲關于IC /封裝通過電場將噪聲耦合到外部物體的能力的所有相關信息。
磁場耦合
上圖說明了IC的磁場耦合示例，在這種情況下，“天線”是在IC的相對側上抵靠電路板的一部分驅動的電纜。IC產生的磁通量環繞電路板并在電路板上產生電壓，能夠將高頻電流驅動到電纜上，從而產生輻射。
用于測量電場耦合的相同混合TEM單元設置可用于測量磁場耦合，通常，來自IC /封裝結構的磁場在纏繞其他導體（例如電路板的接地平面）時會產生輻射發射問題，并在導體上產生電壓，將共模電流驅動到電纜或其他導電物體上天線。
混合TEM單元測量量化IC /包以這種方式耦合到附近物體的能力，正如電場混合TEM電池測量可用于確定“電矩”; 磁場混合TEM單元測試可用于確定“磁矩”，它可以代表全波模擬中的IC /封裝。
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